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三星全球首秀3nm:或从此告别“发热翻车”

[摘要]IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片,是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片,这也是新工艺落地传统的第一步。

这几年,台积电在半导体工艺上一路策马扬鞭,春风得意,能够追赶的也只有三星了,但是后者的工艺品质一直饱受质疑。

IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片,是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片,这也是新工艺落地传统的第一步。

在三星路线图上,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点,其他则是升级改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。

三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术 ,再次实现了晶体管结构的突破,比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

GAAFET技术又分为两种类型,一是 常规GAAFET ,使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin),二是MBCFET (多桥通道场效应晶体管),使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片(nanosheet)。

三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Gb,面积56平方毫米,最令三星骄傲的就是超低功耗,写入电流只需要区区0.23V,这要感谢MBCFET的多种省电技术。

按照三星的说法, 3GAE工艺相比于其7LPP,可将晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

或许,这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热,避免再出现所谓的“翻车”。

三星3nm预计明年投入量产 ,但尚未公布任何客户。

台积电方面,3nm继续使用FinFET技术,号称相比于5nm晶体管密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%,预计今年晚些时候投入试产,明年量产,客户包括除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等,甚至据说Intel也会用。

编辑:聂文瑄

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